NPN-Transistor 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 90 MHz. Frequenz: 90MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D882. Kollektorstrom Ic [A]: 3A. Konditionierung: tubus. Kosten): 45pF. Leistung: 10W. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB772. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24