NPN-Transistor 3DD209L, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 4 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D209L. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Tf(min): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Originalprodukt vom Hersteller: Jilin Sino-microelectronics Co. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:52