NPN-Transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 280 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Leistung: 1W. Max Frequenz: 280MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Polarität: PNP. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56