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NPN-Transistor BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v
Menge
Stückpreis
10-49
0.0475fr
50-99
0.0403fr
100-199
0.0368fr
200+
0.0314fr
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NPN-Transistor BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -30V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Leistung: 0.63W. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34
BC328-25
27 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-30V
Kollektorstrom
0.8A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 ( Ammo Pack )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
1A
Leistung
0.63W
Maximaler hFE-Gewinn
400
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
160
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Transistortyp
PNP
VCBO
30 v
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10