NPN-Transistor BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

NPN-Transistor BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0519fr
50-99
0.0457fr
100-499
0.0406fr
500+
0.0332fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 399
Minimum: 10

NPN-Transistor BC550C, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Frequenz: 300MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Leistung: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC560C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC550C
29 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Frequenz
300MHz
Funktion
hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc)
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Leistung
0.5W
Maximaler hFE-Gewinn
800
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
420
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
50V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC560C
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Lge Technology
Mindestmenge
10

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