NPN-Transistor BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA
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NPN-Transistor BC556BG, -65V, TO-92, -0.1A, TO-226AA, 65V, 100mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: -0.1A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 280 MHz. Herstellerkennzeichnung: BC556B. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 0.625W. Max Frequenz: 280MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Transistortyp: PNP-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:10
BC556BG
19 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-65V
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
-0.1A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226AA
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
65V
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
280 MHz
Herstellerkennzeichnung
BC556B
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
0.625W
Max Frequenz
280MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Transistortyp
PNP-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi