NPN-Transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

NPN-Transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.15fr
5-49
0.12fr
50-99
0.11fr
100-199
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200+
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NPN-Transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 110pF. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 150 MHz. Frequenz: 150MHz. Gewinne hfe: 100...250. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Konditionierung: Ammo Pack. Kosten): 9pF. Leistung: 0.8/2.75W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC639-16. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

BC640-16
31 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
110pF
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
150 MHz
Frequenz
150MHz
Gewinne hfe
100...250
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
1A
Konditionierung
Ammo Pack
Kosten)
9pF
Leistung
0.8/2.75W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
800mW
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
80V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC639-16
Transistortyp
PNP
VCBO
80V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil