NPN-Transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

NPN-Transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V

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Stückpreis
10-24
0.0380fr
25-99
0.0284fr
100-249
0.0245fr
250-499
0.0225fr
500+
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NPN-Transistor BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Frequenz: 100MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 4.5pF. Leistung: 200mW. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.225W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 45V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1G. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC847C
29 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Frequenz
100MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Kosten)
4.5pF
Leistung
200mW
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
800
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
250
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.225W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
45V
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 1G
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
10