NPN-Transistor BC848B, SOT-23 ( TO-236 ), 30V, 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

NPN-Transistor BC848B, SOT-23 ( TO-236 ), 30V, 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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NPN-Transistor BC848B, SOT-23 ( TO-236 ), 30V, 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 100MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: 30V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Gewinne hfe: 290. Halbleitermaterial: Silizium. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Leistung: 0.25W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1K. Strom max 1: 0.1A. Transistortyp: NPN. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC848B
29 Parameter
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
30V
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
Bandbreite MHz
100MHz
Collector-Base-Spannung VCBO
30V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
200
FT
300 MHz
Funktion
Allzweck
Gewinne hfe
290
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Leistung
0.25W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
0.33W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BC
Spannung (Sammler - Emitter)
30V
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 1K
Strom max 1
0.1A
Transistortyp
NPN
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
10

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