NPN-Transistor BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

NPN-Transistor BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA

Menge
Stückpreis
10-99
0.0933fr
100-499
0.0736fr
500-2999
0.0491fr
3000+
0.0327fr
Menge auf Lager: 16267
Minimum: 10

NPN-Transistor BC858CLT1G-3L, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: 3L. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

BC858CLT1G-3L
14 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30 v
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
100 MHz
Herstellerkennzeichnung
3L
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi
Mindestmenge
10