NPN-Transistor BC859C, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3 G. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3G/4C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34