NPN-Transistor BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA
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NPN-Transistor BC859C-4C, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: 4C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48
BC859C-4C
14 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30 v
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
100 MHz
Herstellerkennzeichnung
4C
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.225W
RoHS
nein
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi
Mindestmenge
10