NPN-Transistor BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V
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NPN-Transistor BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -68...+150°C. C(in): 10pF. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 100 MHz. Frequenz: 100MHz, 150MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BC850C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4G. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 4.5pF. Leistung: 0.25W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V, 45V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 4G. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.075V. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34