NPN-Transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

NPN-Transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.27fr
5-49
0.23fr
50-99
0.20fr
100-199
0.19fr
200+
0.16fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 992

NPN-Transistor BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 170 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CDC. Kosten): 22pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CDC. Transistortyp: NPN. VCBO: 32V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC868-25-115
24 Parameter
Kollektorstrom
2A
Gehäuse
SOT-89
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
20V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
170 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
3A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
CDC
Kosten)
22pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
375
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
160
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.35W
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code CDC
Transistortyp
NPN
VCBO
32V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors

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