NPN-Transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

NPN-Transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

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Stückpreis
1-4
0.27fr
5-49
0.23fr
50-99
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100-199
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200+
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NPN-Transistor BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Gehäuse: SOT-89. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 170 MHz. Frequenz: 60MHz, 170MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CAC. Kollektorstrom Ic [A]: 1A, 2A. Kosten): 22pF. Leistung: 950mW. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 25V, 20V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code CAC. Transistortyp: NPN. VCBO: 32V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC868
29 Parameter
Gehäuse
SOT-89
Kollektorstrom
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
20V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
170 MHz
Frequenz
60MHz, 170MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
3A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
CAC
Kollektorstrom Ic [A]
1A, 2A
Kosten)
22pF
Leistung
950mW
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
375
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
85
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.35W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
25V, 20V
Spec info
Siebdruck/SMD-Code CAC
Transistortyp
NPN
VCBO
32V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors

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