NPN-Transistor BCP51-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

NPN-Transistor BCP51-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Menge
Stückpreis
1-4
0.16fr
5-49
0.13fr
50-99
0.11fr
100-499
0.10fr
500+
0.0860fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 896

NPN-Transistor BCP51-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 145 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP51/16. Kosten): 15pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP54-16. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BCP51-16
26 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
145 MHz
Funktion
Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
BCP51/16
Kosten)
15pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.35W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BCP54-16
Transistortyp
PNP
VCBO
45V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors

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