NPN-Transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

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NPN-Transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 130MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Herstellerkennzeichnung: BH. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 1.5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Montageart: SMD. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: BCP. Strom max 1: 1A. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48

Technische Dokumentation (PDF)
BCP56T1G
23 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Anzahl der Terminals
3
Bandbreite MHz
130MHz
Collector-Base-Spannung VCBO
100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
25
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-261
Grenzfrequenz ft [MHz]
130 MHz
Herstellerkennzeichnung
BH
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leistung
1.5W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.5W
Montageart
SMD
Polarität
NPN
RoHS
ja
Serie
BCP
Strom max 1
1A
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi