NPN-Transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A
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NPN-Transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 130MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Herstellerkennzeichnung: BH. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 1.5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Montageart: SMD. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: BCP. Strom max 1: 1A. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48