NPN-Transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-Transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0541fr
50-99
0.0472fr
100-199
0.0421fr
200+
0.0358fr
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NPN-Transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 10k Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XCs. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XCs. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 1V. Widerstand B: 10k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BCR533
26 Parameter
Kollektorstrom
500mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
10k Ohms
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Funktion
Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
XCs
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
70
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.33W
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/CMS-Code XCs
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
1V
Widerstand B
10k Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies
Mindestmenge
10