NPN-Transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 4.7k Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Silizium-Digitaltransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: XUs. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34