NPN-Transistor BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V
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NPN-Transistor BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Frequenz: 50MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD139. Ic(Impuls): 3A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 1.5A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 12W. Max Frequenz: 50MHz. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24