NPN-Transistor BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Frequenz: 50MHz. Funktion: NF-L. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD140. Ic(Impuls): 3A. Kollektorstrom Ic [A]: 1.5A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 12W. Max Frequenz: 50MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24