NPN-Transistor BD179G, TO-225, 3mA

NPN-Transistor BD179G, TO-225, 3mA

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Stückpreis
1-19
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20+
0.35fr
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NPN-Transistor BD179G, TO-225, 3mA. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Herstellerkennzeichnung: BD179G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.03W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25

Technische Dokumentation (PDF)
BD179G
13 Parameter
Gehäuse
TO-225
Kollektorstrom Ic [A], max.
3mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-225
Grenzfrequenz ft [MHz]
3 MHz
Herstellerkennzeichnung
BD179G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.03W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi