NPN-Transistor BD237-CDIL, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

NPN-Transistor BD237-CDIL, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.36fr
5-49
0.30fr
50-99
0.27fr
100-199
0.24fr
200+
0.20fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 76

NPN-Transistor BD237-CDIL, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 6A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD238. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

BD237-CDIL
24 Parameter
Kollektorstrom
2A
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
3 MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
6A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD238
Transistortyp
NPN
VCBO
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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