NPN-Transistor BD241C, TO-220, 5A, 100V, 3A, TO-220, 100V

NPN-Transistor BD241C, TO-220, 5A, 100V, 3A, TO-220, 100V

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Stückpreis
1-4
0.57fr
5-24
0.50fr
25-49
0.44fr
50-99
0.38fr
100+
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NPN-Transistor BD241C, TO-220, 5A, 100V, 3A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 115V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 10. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD241C. Ic(Impuls): 8A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 3A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. MSL: -. Max Frequenz: 3MHz. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD242C. Strom max 1: 3A. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 115V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BD241C
48 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom
5A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
3A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
3MHz
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
115V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
10
FT
3 MHz
Frequenz
3MHz
Funktion
NF-L
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BD241C
Ic(Impuls)
8A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A]
3A
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
40W
Max Frequenz
3MHz
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.2V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Maximaler hFE-Gewinn
25
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BD
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD242C
Strom max 1
3A
Transistortyp
NPN
Typ
Leistung
VCBO
115V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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