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NPN-Transistor BD243CG, TO-220, 6A, 100V, TO-220AB, 100V
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1-4
1.45fr
5-24
1.26fr
25-49
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50-99
1.00fr
100+
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NPN-Transistor BD243CG, TO-220, 6A, 100V, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 15. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 6A. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Leistung: 65W. MSL: -. Max Frequenz: 3MHz. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Strom max 1: 6A. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24
BD243CG
35 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom
6A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
3MHz
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
15
FT
3 MHz
Frequenz
3MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Kollektorstrom Ic [A]
6A
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Leistung
65W
Max Frequenz
3MHz
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
65W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BD
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Strom max 1
6A
Transistortyp
NPN
Typ
Leistung
VCBO
100V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor