NPN-Transistor BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANSISTOR 80V 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD442. Ic(Impuls): 7A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Produktionsdatum: 1449. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD441. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24