NPN-Transistor BD652-S, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BD652. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Bourns. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25