NPN-Transistor BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: 10 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD679A. Ic(Impuls): 6A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24