NPN-Transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V

NPN-Transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.78fr
5-24
0.68fr
25-49
0.61fr
50-99
0.54fr
100+
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NPN-Transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 5. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD911. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 15A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 90W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Strom max 1: -15A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BD912
47 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
15A
Kollektorstrom
15A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
3MHz
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
5
FT
3 MHz
Frequenz
3MHz
Funktion
Power Linear und Switching
Grenzfrequenz ft [MHz]
3 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BD911
Kollektorstrom Ic [A]
15A
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
90W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
90W
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
90W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BD
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD911
Strom max 1
-15A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
Typ
Leistung
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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