NPN-Transistor BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A
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NPN-Transistor BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A. Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 100MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: -60V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: BDP950. Information: -. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 3W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Montageart: SMD. Polarität: PNP. RoHS: ja. Serie: BDP. Strom max 1: -3A. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:48