NPN-Transistor BDT65C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: 1. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 1000. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT64C. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Iec. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:14