NPN-Transistor BDX34C, TO-220, -100V, 10A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. Eingebaute Diode: ja. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 10A. Konditionierung: tubus. Leistung: 70W. MSL: -. Max Frequenz: 20MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BDX34C. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. Strom max 1: -10A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: Darlington-Transistor. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Widerstand B: 10k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24