NPN-Transistor BDX53C, TO-220, 8A, 100V, 8A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Audioverstärker. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BDX53C. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Ic(Impuls): 12A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 8A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 60W. MSL: -. Max Frequenz: 20MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BDX53. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Strom max 1: 8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Widerstand B: 10k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24