NPN-Transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

NPN-Transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

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NPN-Transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. FT: 450 MHz. Funktion: „ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W. Ic(Impuls): 25mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1*. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Vebo: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BFS20
23 Parameter
Kollektorstrom
25mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
20V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-65...+150°C
FT
450 MHz
Funktion
„ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W
Ic(Impuls)
25mA
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
G1*
Maximaler hFE-Gewinn
140
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
200mW
RoHS
ja
Transistortyp
NPN
VCBO
30 v
Vebo
4 v
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc
Mindestmenge
10