NPN-Transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 150 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: 200 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BSP50. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31