NPN-Transistor BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31