NPN-Transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

NPN-Transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Menge
Stückpreis
10-24
0.0717fr
25-99
0.0494fr
100-249
0.0417fr
250+
0.0373fr
Menge auf Lager: 2367
Minimum: 10

NPN-Transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrom: 250mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. FT: 400 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B2. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.225mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B2. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31

Technische Dokumentation (PDF)
BSV52
24 Parameter
Kollektorstrom
250mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
12V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
FT
400 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
B2
Maximaler hFE-Gewinn
120
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.225mW
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code B2
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Tf(max)
18 ns
Tf(min)
12us
Transistortyp
NPN
VCBO
20V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild
Mindestmenge
10