NPN-Transistor BU413, TO-3, 10A
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NPN-Transistor BU413, TO-3, 10A. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 175V. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:32
BU413
8 Parameter
Gehäuse
TO-3
Kollektorstrom Ic [A], max.
10A
Anzahl der Terminals
3
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
175V
Komponentenfamilie
NPN Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
60W
RoHS
nein