NPN-Transistor BU508AF, ITO-218, 8A

NPN-Transistor BU508AF, ITO-218, 8A

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NPN-Transistor BU508AF, ITO-218, 8A. Gehäuse: ITO-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-199. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BU508AF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 700V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 34W. RoHS: nein. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:32

Technische Dokumentation (PDF)
BU508AF
12 Parameter
Gehäuse
ITO-218
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
SOT-199
Herstellerkennzeichnung
BU508AF
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
700V
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
34W
RoHS
nein
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp