NPN-Transistor BUH517-ST, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V
Menge
Stückpreis
1-4
4.43fr
5-9
3.92fr
10-19
3.62fr
20-29
3.42fr
30+
3.10fr
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NPN-Transistor BUH517-ST, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Funktion: „Hochauflösend“. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 6. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (Typ): 190 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31
BUH517-ST
20 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
ISOWATT218
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOWATT218
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Funktion
„Hochauflösend“
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
15A
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Maximaler hFE-Gewinn
6
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4
Pd (Verlustleistung, max)
60W
Spec info
MONITOR
Tf (Typ)
190 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1700V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics