NPN-Transistor BUT11A, TO-220, 450V, 5A, TO-220, 450V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anwendungen: Umschalten. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 1000V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 10. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Information: -. Leistung: 100W. MSL: -. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: BUT11. Strom max 1: 5A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. Typ: Switching. VCBO: 1000V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57