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NPN-Transistor BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V
Menge
Stückpreis
1-4
1.67fr
5-24
1.38fr
25-49
1.23fr
50+
1.11fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 43 |
NPN-Transistor BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUT11APX
23 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F ( SOT186A )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
450V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Maximaler hFE-Gewinn
35
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
32W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Technologie
Leistungstransistor
Tf(max)
160 ns
Tf(min)
145 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1000V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors