NPN-Transistor D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V

NPN-Transistor D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
1.52fr
5-24
1.32fr
25-49
1.19fr
50-99
1.08fr
100+
0.93fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 90

NPN-Transistor D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. FT: 50 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D44H11. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H11. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Äquivalente: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:16

Technische Dokumentation (PDF)
D44H11
29 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
ja
FT
50 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
20A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
D44H11
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
60
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) D45H11
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Technologie
„Epitaktischer Siliziumtransistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
140 ns
Tf(min)
140 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
80V
Vebo
5V
Äquivalente
Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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