NPN-Transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-Transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Menge
Stückpreis
10-24
0.0793fr
25-49
0.0685fr
50-99
0.0622fr
100+
0.0525fr
Menge auf Lager: 65
Minimum: 10

NPN-Transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 47k Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kosten): 3pF. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 19. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 10V. Widerstand B: 4.7k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
DTA143ZT
26 Parameter
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
47k Ohms
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
Funktion
Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
100mA
Kosten)
3pF
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 19
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.1V
Transistortyp
PNP
VCBO
50V
Vebo
10V
Widerstand B
4.7k Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10