NPN-Transistor DTC114EK, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V

NPN-Transistor DTC114EK, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V

Menge
Stückpreis
1-4
0.13fr
5-24
0.11fr
25-49
0.0940fr
50-99
0.0846fr
100+
0.0696fr
Menge auf Lager: 165

NPN-Transistor DTC114EK, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 10k Ohms. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24. Leistung: 0.2W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 24. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Widerstand B: 10k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:03

Technische Dokumentation (PDF)
DTC114EK
24 Parameter
Kollektorstrom
50mA
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SC-59
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
10k Ohms
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Funktion
DTR.
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
100mA
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
24
Leistung
0.2W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.2W
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 24
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Widerstand B
10k Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
ROHM