NPN-Transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: -. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 33. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *33, P33, t33, w33. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Widerstand B: 4.7k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:16