NPN-Transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 100A. Kollektorstrom: 100A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Terminals: 4. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-Transistormodul. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: ESM3030DV. Hinweis: verschraubt. Ic(Impuls): 150A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: verschraubt. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 225W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.25V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN & NPN. VCBO: 300V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:25