NPN-Transistor FJAF6812, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V

NPN-Transistor FJAF6812, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V

Menge
Stückpreis
1-4
3.05fr
5-24
2.70fr
25-49
2.28fr
50+
2.06fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 70

NPN-Transistor FJAF6812, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck J6812. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FJAF6812
29 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PF
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
750V
Anzahl der Terminals
3
CE-Diode
ja
FT
kHz
Funktion
Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Siebdruck J6812
Ic(Impuls)
24A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
J6812
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
RoHS
ja
Spec info
High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS
Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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