NPN-Transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V

NPN-Transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
1.54fr
5-24
1.36fr
25-49
1.22fr
50-99
1.11fr
100+
0.95fr
Menge auf Lager: 139

NPN-Transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-1. Kosten): 110pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FJP13007H1
27 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
FT
4 MHz
Funktion
Schnelles Hochspannungsschalten
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
J13007-1
Kosten)
110pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Maximaler hFE-Gewinn
28
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
100W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Tf(max)
0.7us
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild