NPN-Transistor HD1750FX, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 24A, ISOWATT218FX, 800V

NPN-Transistor HD1750FX, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 24A, ISOWATT218FX, 800V

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1-4
6.13fr
5-14
5.59fr
15-29
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30-59
4.81fr
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NPN-Transistor HD1750FX, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 24A, ISOWATT218FX, 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 24A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 36A. Kollektorstrom Ic [A]: 24A. Leistung: 75W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 800V. Spec info: 0.17...0.31us. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.95V. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19

Technische Dokumentation (PDF)
HD1750FX
24 Parameter
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Kollektorstrom
24A
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOWATT218FX
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Funktion
CTV-HA hi-res (F)
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
36A
Kollektorstrom Ic [A]
24A
Leistung
75W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
800V
Spec info
0.17...0.31us
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.95V
Tf(max)
250 ns
Tf(min)
180 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1700V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics